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争夺3D晶片先机 三星、东芝角力战

2018-09-15 22:35      点击:

  争夺3D晶片先机 三星、东芝角力战

   在NAND Flash晶片商场各据一方的东芝与三星电子,为了在新一代3D记忆体晶片商场抢得先机,近来正赶紧研制脚步,盼能抢先对手一步打破48层技能门槛并开端量产。

  NAND Flash晶片是现在遍及应用于智慧型手机与PC的记忆体晶片,由三星主导全球商场,其次是市占率第2的东芝。但随着NAND Flash晶片技能迫临最高极限,叁星、东芝早已开端研制新一代记忆体晶片技能。

  相较于2D记忆体晶片的单层结构,3D记忆体晶片能靠多层结构大幅扩大记忆体容量。

  以东芝为例,该公司方针在2019会计年度(2019年4月起)前製造出容量1TB的3D记忆体晶片,相当于现在2D记忆体晶片最大容量的16倍。环亚国际ag886

  但是,眼前两家公司的3D记忆体晶片技能仍在研制阶段。据业界人士泄漏,东芝与三星各自研制的3D记忆体晶片技能已在上一年到达24层技能门槛,且估计本年晋级至32层技能。

  但一名东芝高层泄漏,广东建立LED研究院 推进LED工业向高端开展「现阶段量产3D记忆体晶片没有意义」,由于选用32层技能的3D记忆体晶片生产成本还太高,价格竞争力不及现在最高标准的2D记忆体晶片。

  观察家以为东芝及三星都立志在下一年打破48层技能门槛,一旦打破就会马上量产,因此在这个节骨眼只需其间一家公司研制进展抢先,就可望主导日后的3D记忆体晶片商场。

  

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